2018年9月4日下午，法国CEMES研究所Maxime vallet研究员到访机械与电子控制工程学院，与我院师生进行学术交流活动。我院材料中心于文波老师接待了来访的Maxime vallet研究员，双方就各透射电镜在材料表征方面的研究进展及双方的合作问题进行了探讨。

Maxime Vallet研究员，工作于图卢兹的法国科学院CEMES研究所，研究领域为材料结构和化学特性的，于2014在法国普瓦捷大学-法国科学院Pprimes研究所获得博士学位。他致力于研究加工半导体基材料引起的宏观性能变化与纳米尺度的应变、缺陷及化学组织关系。为此，他主要使用透射电子显微镜技术，如明/暗场、高倍透射、高倍扫描透射、能量损失吸收谱及原位实验观察等手段。还包括聚焦离子束的使用、X射线衍射的使用以及基于线性弹性理论的数值计算的编写。

Maxime vallet研究员在机械工程楼八楼大会议室做了题为“ Transmission electron microscopy: a powerful tool to study semiconductors at nanometer scale（透射电镜: 新型量子激光器半导体材料研究工具） ”的学术报告。出席报告会的有北京交大机电学院材料中心周洋教授、李世波教授、黄振莺教授，李翠伟副教授，于文波讲师及机电学院有关专业本科、研究生。报告会由于文波老师主持。

 报告会上，于文波老师首先对Maxime vallet研究员的基本情况及其学术业绩进行了简要介绍。随后Maxime vallet研究员首先介绍了法国图卢兹CEMES的一些基本情况，并欢迎有意出国深造的同学积极申请。

之后，Maxime vallet研究员在基于多层的器件，如量子级联激光器（QCLSs），对于纳米层的厚度，电子和光学性质非常依赖于界面的结构和化学性质的问题展开介绍和讨论。在InAs衬底上相干生长的InAs/AlSb系统对界面结构特别敏感：界面上的化学键（Al-As或In-Sb）与InAs和AlSb层中存在的化学键不同。在块状材料中，给定晶格参数（aAlAs＝0.566 nm，aInSb＝0.6479 nm，aInAs＝0.6058 nm），Al-As或In-Sb键分别比In-As键低6.6%或高6.9%。因此，界面处的应力状态高度依赖于它们的主导键类型，对于Al-As界面是拉伸的，对于In-Sb界面是压缩的。在先前的研究中，我们定性地发现，与In-Sb界面压缩相比，拉伸型Al-As界面更容易自发形成，这归因于其较高的热稳定性。

在这项工作中，从实验和理论角度研究InAs/AlSb界面的弹性性质。在此基础上，利用几何相位分析（GPA）研究了高角度环形暗场扫描透射电子显微镜（HADAD-STEM）获得的原子分辨图像的界面参数变化。在具有完美Al-As界面的模型结构产生的图像中测量的界面处测量的负应变约为6%。我们还讨论了应变测量在界面尺度上的相关性。利用密度泛函理论（DFT）研究了InAs/AlSb异质结构的弹性性质。首先，在体积InAs、AlAs、InSb和AlSb应变2.5%以上（绝对值）的应力-应变曲线上，获得了与线性弹性理论的显著偏差。这四种二元化合物的这种偏差是相似的，然后我们着重研究了具有不同的InAs和AlSb层厚度的[InAs/AlSb]异质结构中由完美的AlAs和InSb类似的界面所产生的界面应变。t和用线性弹性体预测的散装AlAs（InSb）的预测值吻合得很好。

最后，Maxime vallet研究员与大家进行了问题讨论和互动，在愉快的气氛中结束，取得了理想的效果。